Memorie flash a 34nm con 3-bit per ogni cella

Intel e Micron insieme per la produzione di chip piccoli, capienti e poco costosi

Alcuni giorni fa Intel e Micron hanno annunciato di aver sviluppato una nuova tecnologia per rendere maggiormente dense le memorie NAND flash. In pratica, utilizzando il processo produttivo a 34 nanometri (nm) le due aziende sono riuscite a costruire celle di memoria capaci di immagazzinare ognuna 3-bit. Rispetto ad una memoria con celle a singolo bit, in questo modo si ottiene una capacità di storage circa tripla con la stessa occupazione di spazio: un chip da 32 gigabit (4GB) potrebbe così misurare appena 0,2 pollici quadrati (5,08 millimetri quadrati)...


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