Intel migliora le flash per cellulari

Intel migliora le flash per cellulari

Il gigante di Santa Clara consegna ai produttori di telefonini i suoi primi chip di memoria flash NOR da 1 Gbit, una capacità che raddoppia quella delle precedente generazione. Sono più veloci e consumano meno

Dopo essersi servita della tecnologia di processo a 65 nanometri per migliorare il rapporto performance/consumi della sua ultima generazione di CPU, Intel utilizzerà ora questa stessa tecnologia per produrre memorie flash NOR con densità di 1 Gigabit (128 MB).

Il passaggio dalla tecnologia a 90 nm verso quella a 65 nm, insieme all'adozione della tecnologia Multi-Level Cell, ha permesso ad Intel di raddoppiare la densità di memorizzazione dei suoi chip flash NOR, che in precedenza era di 512 Mbit. Il prossimo anno il colosso di Santa Clara sarà in grado di produrre chip flash NOR da 2 Gbit, pari a 256 MB, basati su circuiti a 45 nanometri: ciò apre la strada all'integrazione, nei cellulari, di svariate centinaia di megabyte di memoria.

Basati sull'architettura StrataFlash, i nuovi chip incrementano le performance della precedente generazione spingendo la velocità di lettura a 133 MHz e quella di scrittura a 1 MB/s, contro i 500 KB/s dei chip a 90 nm. Le nuove memorie, secondo Intel, sono ideali per la memorizzazione di foto e video catturati con fotocamere fino a 4 megapixel di risoluzione...


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