IBM e TDK, progetto congiunto per memorie MRAM

IBM e TDK, progetto congiunto per memorie MRAM

I due colossi hanno annunciato un piano di ricerca e sviluppo congiunto per la realizzazione delle memorie Magnetic RAM

IBM e TDK Corporation hanno annunciato un programma di ricerca e sviluppo congiunto con l'obiettivo di realizzare memorie MRAM - Magnetic Random Access Memory che si basano sugli effetti del trasferimento del momento angolare di spin. I due colossi sono convinti che questo percorso permetterà di approdare alla realizzazione di celle di memoria notevolmente più compatte rispetto a quanto avviene con le attuali tecniche di produzione.

IBM ha occupato un posto di rilievo per ciò che concerne gli studi e gli sviluppi portati avanti nel campo della tecnologia MRAM, oltre ad essere pioniera nello sviluppo della giunzione a tunnel magnetico (MTJ) e nello studio degli effetti del trasferimento del momento angolare di spin sul quale si basa questo tipo di memoria.


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